Дата нараджэння:
15.05.1934 Траўна, в., Краснапольскі раён, Магілёўская вобласць
Дата смерці:
17.07.2022 Мінск, г.
Кароткая даведка:
вучоны ў галіне тэхнічнай фізікі, член-карэспандэнт НАН Беларусі, лаўрэат Дзяржаўнай прэміі Беларусі (1980), кавалер ордэна "Знак Пашаны"
Імёны на іншых мовах:
Коршунов Фёдор Павлович (руская);
2807 сімвалаў
Даведка
Значны ўклад у развіццё фізічнай навукі ў Беларусі ўнёс Фёдар Паўлавіч Коршунаў. Нарадзіўся ён у в. Траўна Краснапольскага раёна Магілёўскай вобласці ў сялянскай сям’і. Скончыў электратэхнічны факультэт Рыжскага вышэйшага інжынерна-авіяцыйнага вучылішча ВПС (1957). Служыў у авіяцыі Ваенна-марскога флота. Працаваў у навукова-даследчым інстытуце Міністэрства абароны СССР, з 1962 г. ‒ у Інстытуце фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў АН БССР. У 1966 г. абараніў кандыдацкую, у 1973 г. ‒ доктарскую дысертацыю. З 1968 па 2011 г. загадваў лабараторыяй радыяцыйных уздзеянняў, адначасова быў намеснікам дырэктара па навуковай рабоце (1985‒1994), прафесарам у Беларускім дзяржаўным універсітэце інфарматыкі і радыёэлектронікі (1979‒1995). З 2011 г. ён галоўны навуковы супрацоўнік Навукова-практычнага цэнтра НАН Беларусі па матэрыялазнаўстве. У 1984 г. Ф.П. Коршунаў выбраны членам-карэспандэнтам АН БССР.
Фёдар Паўлавіч ‒ аўтар больш за 600 навуковых прац па фізіцы паўправаднікоў, радыяцыйнай фізіцы цвёрдага цела, мікраэлектроніцы, радыяцыйнай тэхналогіі паўправадніковых прыбораў. Сярод іх ‒ «Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах» (1978, у суаўтарстве), «Радиация и полупроводники» (1979), «Воздействие радиации на интегральные микросхемы» (1986, у суаўтарстве) і інш. Вучоны адным з першых пачаў праводзіць даследаванні па ўздзеянні гама-нейтроннага апраменьвання на паўправаднікі і вырабы электроннай тэхнікі на іх аснове. Ён распрацаваў радыяцыйную тэхналогію стварэння шэрага тыпаў паўправадніковых прыбораў і інтэгральных схем з павышанай радыяцыйнай трываласцю для касмічнай і ваеннай тэхнікі. Пад навуковым кіраўніцтвам Ф.П. Коршунава і пры яго непасрэдным удзеле выкананы фундаментальныя работы па даследаванні ўздзеяння розных відаў пранікальных выпраменьванняў (нейтронаў, хуткіх электронаў, гама-квантаў) на ўласцівасці монакрышталяў крэмнію, арсеніду галію і структур з p-n-пераходамі на іх аснове. Дзякуючы вучонаму ўпершыню былі распрацаваны і прапанаваны эфектыўныя метады выкарыстання хуткіх электронаў і гама-квантаў у тэхналогіі вырабу паўправадніковых прыбораў і інтэгральных схем, вывучана рэнтгенаўскае выпраменьванне ў крышталях крэмнію. Значным вынікам даследаванняў стала паляпшэнне якасці вырабаў паўправадніковай прамысловасці. Фёдар Паўлавіч мае 85 аўтарскіх пасведчанняў і патэнтаў на вынаходніцтвы. Ён быў членам вучоных саветаў па абароне дысертацый, экспертнага савета Вышэйшай атэстацыйнай камісіі, рэдкалегій часопісаў «Весці НАН Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук», «Доклады БГУИР», «Crystal Lattice Defects and Amorphous Materials».
За навуковыя дасягненні Ф.П. Коршунаў у 1980 г. удастоены Дзяржаўнай прэміі БССР. Ён узнагароджаны ордэнам «Знак Пашаны» (1986), медалямі, ганаровымі граматамі Прэзідыума НАН Беларусі.